首先我們來(lái)看微波等離子體CVD法的技術(shù)原理：mpcvd設(shè)備運(yùn)行原理是在微波能量的作用下，將沉積氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)，在由微波產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的作用下，腔體內(nèi)的電子相互碰撞并產(chǎn)生劇烈的振蕩，促進(jìn)了諧振腔內(nèi)其它的原子、基團(tuán)及分子之間的相互碰撞，從而有效地提高反應(yīng)氣體的離化程度，直到達(dá)到輝光發(fā)電，產(chǎn)生更高密度的等離子體的產(chǎn)生。在反應(yīng)過(guò)程中原料氣體電離化程度達(dá)到10%以上，使得腔體中充滿過(guò)飽和原子氫和含碳基團(tuán)，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質(zhì)量得到改善。

通俗點(diǎn)來(lái)講：MPCVD方法就是先找一個(gè)鉆石作為基片，放在一個(gè)密封設(shè)備中，注入一些氫氣、氮?dú)狻⒓淄榈?，其中的碳元素?huì)附著在鉆石上，原本的鉆石就會(huì)不斷長(zhǎng)大。吃的是氣，長(zhǎng)出的是鉆石！

其次，我們來(lái)看看MPCVD法的優(yōu)點(diǎn)：MPCVD法制備金剛石具有許多優(yōu)點(diǎn)，如反應(yīng)過(guò)程中無(wú)電極，不會(huì)發(fā)生HFCVD 法中因金屬絲蒸發(fā)、游離到沉積的金剛石表面，而產(chǎn)生污染的問(wèn)題；直流等離子噴射CVD法中，在電弧的產(chǎn)生過(guò)程中，點(diǎn)火和熄滅所引起的熱沖擊非常容易造成金剛石從基片表面脫落；微波激發(fā)的等離子體，其電離密度較高等，因此MPCVD法是眾多CVD 法中量產(chǎn)高質(zhì)量金剛石的**。